存儲市場，又變天了？

春天的腳步臨近，但存儲廠商們還在過冬。

上一個冬天其實並不算遙遠，從2021年第三季度开始，包括NAND和DRAM在內的存儲市場都遭受了重創，DRAM價格下跌了57%，而NAND價格同期下跌了55%，供應商的生產過剩和市場的需求衰退引發了價格暴跌。

而從2023年下半年开始，存儲市場出現了一定程度的回暖，尤其是伴隨着AI的火熱，HBM成爲了AI芯片不可或缺的存儲產品，幫助DRAM市場迅速走出冬天。

但溫暖的季節並未持續太久，隨着時間來到2025年初，存儲市場似乎迎來了另一個冬天。

NAND出現暴跌？

NAND廠商的日子這兩年一直不太好過，同時生產DRAM的三星、海力士和美光還能靠着HBM喘一口氣，而只做NAND的鎧俠和西部數據就有點難受了。

回溯2022年NAND市場的大幅下滑，其中部分原因是疫情。當人們开始在家工作時，推動了消費電子產品的繁榮，隨後大型數據中心和雲服務商的基礎設施也進行了更新，來支持這一轉變，這一時期可以被稱作是超大規模企業的快速擴張期。

而在快速擴張過後，很快迎來了緊縮期，超大規模企業在2022年底至2023年期間通過數據縮減等方式提高利用率，從現有資產中獲取了盡可能多的價值，而在2023年這部分企業購买的閃存比2022年減少了54%。與此同時消費者對NAND的需求也在下降。

值得關注的是，NAND行業在此期間並沒有肆意增加供應量，因此供大於求的主要原因是需求的衰退，最終NAND供應商只能通過減產來應對，其中鎧俠減產幅度高達30%，三星的減產幅度更是高達50%。

NAND廠商的營業利潤率和毛利率在這一年均爲負數，創下了淨虧損的新紀錄，甚至可能是有史以來最糟糕的一年。

這也讓鎧俠和西部數據這樣專注NAND的廠商开始尋找出路，例如此前再次談起的兩家合並，以及鎧俠單獨上市等，甚至在NAND上相對薄弱的SK海力士也進行了相應調整，宣布收購而來的Solidigm退出消費業務。

對於NAND廠商來說，經歷了2023年的暴跌之後，2024是調整和恢復元氣的一年，但壞消息總是接踵而至。

根據TrendForce的報告，目前NAND閃存庫存過剩正給供應商帶來財務壓力。該機構表示，2025年的增長率預測已從30%下調至10%-15%。

“爲了抑制位供應增長，NAND閃存制造商已採取更果斷的減產措施，縮減全年產量。這些措施旨在迅速緩解市場失衡，並爲價格復蘇奠定基礎。”TrendForce指出。

Gartner的總監級分析師兼技術產品負責人Shrish Pant預計，2025年上半年NAND閃存價格仍將低迷，但由於AI服務器需求持續增長，他預計SSD的位出貨量將在下半年增加。

“供應商目前正全力以赴地控制供應，這將推動2025年下半年價格回升。從長期來看，AI需求將繼續推動更大容量和更高性能SSD的需求。”Pant表示。

Pant在接受採訪時提到，存儲市場具有季節性特點：“採購模式意味着NAND閃存價格將保持周期性波動，取決於超大規模數據中心的採購行爲。”

而根據存儲分銷商Memphis Electronic在LinkedIn上的一篇帖子，閃存價格已連續四個月下跌，主要受智能手機和筆記本電腦制造商等關鍵买家採購下降的影響，這些廠商被認爲是NAND閃存的主要消費群體。

值得一提的是，PC市場自疫情以來一直表現疲軟，該市場在2021年達到3.5億台的出貨高峰後便持續下滑，盡管有Windows 10停止支持以及AI PC的出現，但都未能重新激發消費者興趣。2024年，PC市場的全球出貨量同比增長僅爲1%，達到2.622億台。

而根據Canalys的數據，2024年智能手機市場反而表現相對較好，全球出貨量同比增長7%，達到12.2億部。

去年年底，SK海力士在財報電話會議上警告稱：“盡管企業級SSD需求穩健，但由於PC和移動客戶的採購需求疲軟，銷售位增長環比下降了十幾個百分點。”關於近期的生產計劃，該公司補充道：“對於NAND，我們將繼續專注於技術迭代，而不是提升產能，直到行業庫存被充分消化。”

美光也在去年9月的第四季度財報電話會議上表示：“我們對2024年和2025年整個行業NAND位需求增長的展望已下調至低雙位數百分比，這低於我們此前的預期。”其將NAND出貨量增長放緩歸因於消費設備需求疲軟、各終端市場的持續庫存調整，以及“在經歷了多個季度的快速增長後，客戶對數據中心SSD的短期採購放緩。”

美光表示，2024年和2025年行業NAND增長預期的下滑意味着“供應端需要採取相應措施來實現平衡”。不過，該公司仍預計，由於AI工作負載的增長，長期來看，NAND作爲首選存儲方式的需求將持續上升。

盡管AI帶動了企業級SSD的需求增長，但消費市場的疲軟，讓NAND廠商完全樂觀不起來，就目前而言，幾家廠商都在專注於提升技術而非擴產。

DRAM不容樂觀

相較於NAND，DRAM市場表現相對好一些，但價格下跌也是免不了的。

根據去年年底TrendForce的預測，DRAM市場將在2025年第一季度迎來明顯價格下跌，其中PC、服務器和GPU VRAM領域預計將出現大幅下滑。

其指出，在 PC DRAM 市場，價格預計將下降8-13%。這一下降主要是由於消費者需求疲軟和 DDR4 內存模塊供應過剩。中國制造商增加了 DDR4 產量，進一步飽和了市場並給價格帶來了額外壓力。雖然 DDR5 的採用率正在穩步增長，但尚未達到抵消上一代 DDR4 模塊供應過剩所需的規模。因此，PC 制造商正在利用較低的價格來增加庫存，盡管他們非常謹慎，以避免在需求不確定的情況下出現庫存過剩。

服務器 DRAM 價格預計也將下降，但降幅小於 PC DRAM，預測降幅爲 5-10%。從 DDR4 到 DDR5 和高帶寬內存 (HBM) 的持續過渡繼續影響着服務器 DRAM 市場。主要供應商正在將生產能力從 DDR4 重新分配到更新的技術，以滿足數據中心和 AI 應用日益增長的需求。然而，DDR4 內存的供應過剩，加上企業客戶的謹慎採購策略，導致價格受到抑制。雖然 DDR5 的採用率正在增長，但其目前的使用量仍不足以抵消 DDR4 的供應過剩。

在 GPU VRAM 領域，價格預計將下跌 5-10%，主要原因是需求低迷和庫存水平上升。盡管部分產能已轉向 HBM，尤其是用於 AI 和數據中心應用的高性能 GPU，但對傳統圖形 DRAM 的需求仍然疲軟。遊戲和專業圖形市場尚未從高庫存水平和消費者需求疲軟的時期完全恢復，導致 GPU VRAM 價格持續下跌。

DRAM廠商在2023年初時也經歷了價格大幅下跌，僅第一季度 DRAM 成本就下降了 20%。

到 2024 年，盡管下跌速度有所放緩，但市場仍面臨挑战。具體表現爲庫存水平高，消費電子、遊戲和數據中心等關鍵領域的需求依然疲軟。此外，DDR5 和 HBM 等較新內存技術的緩慢採用導致老一代 DRAM 模塊長期過剩，進一步導致價格不穩定。

隨着 2025 年的到來，這些挑战沒有立即得到解決的跡象，反而有進一步加重的跡象。

這一點也促使DRAM廠商做出更多改變。

早在去年11月，SK海力士就計劃在 2024 年第四季度之前將其傳統 DRAM 產量減少至 20%，該公司將重新分配資源，以滿足對 AI 專用內存和先進 DRAM 產品日益增長的需求。報告指出，SK海力士一直在穩步縮減DDR4產量，將產量從2024年第二季度的40%減少到第三季度的30%，並計劃在第四季度減少到20%。

而據日經新聞報道，由於需求疲軟導致價格下跌，三星、SK 海力士和美光正在轉向 DDR5 和高帶寬內存 (HBM)，並可能在 2025 年逐步淘汰 DDR3 和 DDR4，預計未來將專注於先進的內存技術。

消息人士表示，三大 DRAM 制造商可能會在 2025 年底前停止生產 DDR3 和 DDR4。此舉可能會導致 2025 年夏季後出現供應短缺，一位關鍵零部件分銷商指出，預計停產可能會導致嚴重的供應限制，挑战市場動態並影響定價策略。

根據inSpectrum的數據顯示，在市場低迷的情況下，DDR5現貨價格仍持續上漲，DDR4價格則保持穩定，而DDR3現貨價格在過去幾年一直呈下降趨勢。

DRAM廠商把更多精力放在了DDR5和HBM上，尤其是HBM，近兩年在DRAM市場中的份額穩步增長，已經成爲主要的利潤增長點之一。

逃不過去的冬天

在首爾江南區COEX舉行的“Semicon Korea 2025”新聞發布會上，市場研究機構Gartner副總裁Gaurav Gupta表示：“從長期來看，存儲器行業無法避免周期性波動。”

據Gartner數據顯示，存儲市場（包括DRAM和NAND閃存）在2022年和2023年分別下滑了13.8%和35.8%。然而，去年受人工智能（AI）投資增長的推動，該市場反彈了71.8%。

Gupta預測，存儲市場將在2024年增長13.0%，2025年繼續增長11.6%，但從2025年後，市場將再次進入下行周期。不過，AI加速器所需的高價值高帶寬存儲（HBM）預計將持續增長至2028年。他預計，HBM在2023年至2028年間的年均復合增長率（CAGR）將達到62%。

他指出，在整體DRAM收入中，HBM的佔比預計將從2024年的13.6%上升至2028年的30.6%。整體來看，結合邏輯芯片和存儲芯片的全球半導體市場規模預計將從2023年的6260億美元增長至2028年的8294億美元，並在2030年至2031年間突破1萬億美元大關。

特別是在服務器、AI加速器、高性能計算（HPC）和汽車領域，半導體的應用預計將大幅增長。而由於半導體銷售額與雲計算服務提供商（CSP）的資本支出（CAPEX）密切相關，預計CSP的投資將持續增長至2026年。

國際半導體設備與材料協會（SEMI）高級總監Clark Tseng表示：“全球七大CSP的資本支出從2018年的800億美元增長至2023年的2000億美元，並預計在2024年超過2500億美元。”

他還預測，服務器在整體半導體市場中的佔比將從2024年的24%增加到2030年的34%。此外，他表示，預計韓國半導體制造商將在2026年後減少對DRAM的投資，並大幅增加對NAND閃存的投資。

從數據中不難看出，DRAM市場的主要增長動力就來自於HBM和服務器產品，NAND也大抵如此，巨頭們大量興建數據中心，讓存儲市場比預計中更早實現了回暖，但冬天也比預計來的更早一些。

這也就是說，如果消費電子領域遲遲未出現明顯增長點的話，DRAM和NAND市場就很難保持穩定增長而不出現下滑，僅靠服務器這一個領域的繁榮，難以支撐起整個市場。

更何況，服務器端的需求也並非一直高歌猛進，此前Futurum Group半導體副總裁兼業務負責人Richard Gordon針對數據中心領域的存儲需求指出：“除了SSD的庫存調整外，由於AI半導體出口管制及其他地緣政治問題帶來的不確定性，數據中心HBM的短期需求也將放緩。”

而廠商們在這種情況下的唯一出路就是往更高端走，通過贏取更高的利潤來消弭市場價格波動的影響。

Gordon表示：“市場環境將有所改善，存儲廠商將加速向先進制程和高端技術（如HBM3、HBM4、DDR5、LPDDR和堆疊芯片等）轉移，這將消耗大量產能，並減少傳統/常規產品的產出。目標是優化產出結構，並更好地控制平均售價（ASP）。”

“不過，存儲市場的格局正在發生變化。”Gordon補充道，“它正從一個競爭激烈、高度周期性、波動劇烈的商品化市場，轉向一個更加專業化、高端化的市場。供應商數量減少，技術壁壘提高，使得企業能夠更好地掌控供應和定價。此外，從中期來看，AI數據中心的需求似乎仍然無比旺盛。”

寫在最後

2025年全球存儲市場正經歷一場由AI驅動的結構性變革，DRAM與NAND領域加速向高附加值技術全面傾斜。隨着傳統市場需求疲軟及價格持續承壓，三星、SK海力士、美光等頭部廠商紛紛將產能轉向HBM、DDR5、LPDDR5等高端產品，試圖通過技術升級重構行業競爭壁壘。

HBM3E憑借AI算力需求的爆發成爲市場核心增長點，其產出預計在2025年翻倍，但高昂的晶圓消耗與低良率也導致傳統DRAM產能被大幅擠佔。與此同時，DDR5在服務器與PC市場的滲透率突破50%，進一步壓縮了DDR4等成熟制程的生存空間，迫使廠商通過減產、停產低端產品優化產能結構。

不論是DRAM廠商還是NAND廠商，都不免在新的冬天裏掙扎沉浮，但它們或多或少，都已經明確了自己的目標，那就是放棄價格战與頻繁調整庫存，轉而構築更強大的技術壁壘。

展望未來，存儲行業的“專業化”趨勢將愈發清晰，傳統存儲依舊存在，但市場中的主角只會是那些把握住市場風向，真正在技術上領先的廠商。

標題：存儲市場，又變天了？

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