SK海力士宣布：向HBM投資600億美元

SK 集團的半導體部門 SK 海力士計劃到 2028 年投資 103 萬億韓元（748 億美元），凸顯了該集團押注於其認爲對其業務未來發展至關重要的領域。

SK 集團在周日的一份聲明中表示，約 80%（即 82 萬億韓元）將用於投資高帶寬內存芯片。SK 海力士的 HBM 芯片針對 Nvidia的人工智能加速器進行了優化。作爲押注人工智能的一部分，SK 電信公司和 SK 寬帶公司將在其數據中心業務上投資 3.4 萬億韓元。

該計劃是在 SK 集團董事長崔泰源和約 20 名高管舉行年度战略會議討論僅次於三星的韓國第二大商業集團的發展方向之後制定的。在過去兩天裏，高管們進行了長達 20 個小時的馬拉松式討論，並就集團改革方式展开了辯論，該集團的業務還包括能源、化學品和電池。

今年的風險尤其高，因爲崔泰源需要籌集 10 億美元離婚和解金。投機者一直在押注他會採取措施推動該集團向其分居的妻子支付賠償金。

高管們決定，SK 集團的目標是到 2026 年通過運營和業務改革創造 80 萬億韓元的收入。該目標還包括在三年內確保 30 萬億韓元的自由現金流，以將其債務權益比保持在 100% 以下。

據該聲明稱，該集團去年虧損 10 萬億韓元，預計今年的稅前利潤將達到 22 萬億韓元。該公司的目標是在 2026 年將這一數字提高到 40 萬億韓元。

雖然這是 SK 首次披露其 2028 年的投資計劃，但 SK 海力士今年已宣布了一系列投資計劃，其中包括斥資 38.7 億美元在印第安納州建造一個先進的封裝工廠和 AI 產品研究中心。在國內，該公司斥資 146 億美元建造一個新的內存芯片綜合體，並繼續進行其他國內投資，包括龍仁半導體集群。

SK Hynix 制定HBM 4芯片供應計劃

韓國SK海力士公司上個月表示，正在制定明年的高容量存儲器（HBM）芯片的供應計劃，因爲客戶正在提前發布產品計劃，以搭上人工智能熱潮的順風車。

在最近一次負責HBM芯片的新任高管圓桌討論中，SK海力士副總裁與營銷負責人金基泰表示：“縱觀當前的市場形勢，大型科技客戶正在加快新產品的發布時間，以確保在AI領域領先。因此，我們也在提前討論今年和明年的計劃，以確保及時供應下一代HBM產品。” SK海力士是三星電子

全球第二大存儲器芯片制造商，但卻是HBM的主要供應商，HBM是一種對生成式AI設備至關重要的高性能堆棧式DRAM芯片。

該公司是首家於2013年开發第一代HBM芯片的內存供應商，並在隨後幾年推出了後續產品——HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月，SK 开發出全球首款12層HBM3 DRAM 產品， 內存容量爲 24 千兆字節 (GB)，爲業內最大。2023年 8 月，該公司推出了業界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E，用於 AI 應用， 並向其客戶 Nvidia  Corp. 提供了樣品以進行性能評估。

今年 3 月，SK 海力士开始大批量生產 HBM3E 芯片，這是業界推出的另一個公司，同時表示將把第六代 HBM4 芯片的量產提前到 2025 年。

此前，SK 海力士母公司董事長崔泰源在接受新聞採訪時表示，如果需要產能，SK 海力士正在調查韓國和美國等其他國家建設高容量存儲器 (HBM) 工廠可能性，HBM 對於核電站至關重要。崔泰源周四告訴記者，如果需要額外投資在韓國以外生產的 HBM，那么該公司“正在調查韓國和美國等其他國家生產的這些產品可能性”。

在選擇新的芯片制造基地位置時，崔泰源強調，清潔能源採購是實現客戶整個供應鏈脫碳目標的重要因素。此次採訪是在該報主辦的“亞洲未來”論壇間隙在東京進行。

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