中信證券：美國對華半導體制裁更新，倒逼全產業鏈國產化加速
美國商務部於2024年12月2日更新了半導體出口管制政策和實體清單，主要針對中國大陸半導體企業。本次制裁仍然是主要圍繞先進制程的“小院高牆”式策略，意在卡住中國先進半導體發展進程，相關內容與此前媒體報道內容差別不大，市場已有所預期，由於相關企業已有提前准備，我們認爲短期實際影響有限，長期而言則需放棄幻想，自立自強，有望進一步加速全產業鏈國產化進程。
▍美國更新出口管制規則並新增實體清單，瞄准中國大陸半導體領域。
2024年12月2日北京時間晚間，美國工業和安全局(BIS)發布了《出口管理條例(EAR)》的修訂說明，修訂半導體相關的出口管制規則，同時將 140個中國實體列入“實體清單”。核心內容包括但不限於：1）實體清單新增140家公司，並修改對部分企業（標注“腳注5” 的企業）供應含美技術外國產品的限制要求，以及從驗證最終用戶 (VEU) “白名單”計劃中刪除3家中國企業；2）針對高帶寬內存（HBM）增加新的管制措施（增加新的3A090.c編碼）；3）擴展了部分半導體制造設備和相關物品的管制品類，適用於外國直接產品規則。
▍針對實體清單企業和白名單的更新主要包含三部分。
1）新增140家實體清單公司，主要爲國產半導體制造、設備廠商，也涉及EDA、投資公司。本次新增實體清單的公司包括半導體設備廠商北方華創、拓荊科技、盛美上海、至純科技、中科飛測、新凱來、凱世通、華峰測控、爍科中科信、華海清科、芯源微、北京屹唐、東方晶源、上海睿勵等半導體設備廠商及部分子公司；半導體制造商青島芯恩、昇維旭、鵬新旭、武漢新芯等；EDA廠商華大九天及其子公司；半導體材料廠商南大光電及其子公司、上海新昇（滬硅產業旗下）、珠海基石、至純精密氣體等；半導體海外並購相關的建廣資產、智路資本、聞泰科技等。實體清單內企業在購买美國技術含量25%以上產品時受到限制。
2）對14家實體清單中的晶圓廠及研發中心增加了“腳注5”限制，更嚴格限制含美技術產品的採購。BIS針對14家已經被列入實體清單或新列入的晶圓廠和研發中心增加了“腳注5”，包括福建晉華、中芯北京、中芯國際、中芯北方、鵬芯微、ICRD、中芯南方、武漢新芯、青島芯恩、中科院微電子所、上海集成電路裝備材料產業創新中心、張江實驗室、北方集成電路技術創新中心、中芯國際集成電路新技術研發公司等，BIS限制採用美國技術的公司（包括美系和非美系）向這些中國公司出口任何含有美國技術的產品。此外BIS對中芯國際的許可批准政策也做了修訂。
3）3家半導體公司被移除VEU清單。BIS將三家中國半導體公司從VEU（授權驗證最終用戶）“白名單”清單移除，分別爲中微公司、華虹半導體和華潤微，VEU公司無需從 BIS 獲得出口、再出口或轉讓（國內）許可證，現在被移除後，購买受管制的商品、軟件和/或技術均需要通過BIS審查。
▍HBM和先進DRAM的限制加碼，新增限制HBM的技術參數，主流HBM產品受管制。
1）新增HBM管制物項編碼：針對HBM增加了3A090.c管制物項編碼，存儲帶寬密度超過每平方毫米2GB/s即受到管制，BIS表示當前所有量產中的HBM均受限；3A090.c主要針對獨立HBM，而對於HBM與邏輯合封的產品，則主要聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度是否受限（根據3A090.a/3A090.b）；此外，對於美國或盟友企業在中國工廠封裝等情形，設置了許可例外條件，當滿足HBM內存帶寬密度小於3.3GB/s/mm²等一系列條件時，可申請許可證例外授權，對產品去向仍有嚴格管控。
2）修改先進DRAM定義：在限制半導體設備時，將先進DRAM的技術標准從“18 納米半間距或更小”修正爲當 DRAM集成電路的存儲單元面積小於0.0019μm²或存儲密度大於 0.288Gbit/mm²時，該集成電路即符合 "先進節點集成電路 (Advanced-Node IC) "，從而限制3D DRAM等技術，達到這一水平的國內DRAM存儲廠採購含美技術設備需要許可證。
▍修訂“商業管制清單CCL”，新增8類高端設備管制。
BIS在管制清單中新增8種品類（ECCN 3B001），後續此類設備的採購均需要許可要求或推定拒絕，主要包括：用於封裝含硅通孔（TSV）芯片（如 HBM 芯片）的刻蝕設備；用於在先進集成電路的金屬线之間沉積低介電材料的設備；用於先進存儲器集成電路中低電阻率金屬（鉬和釕）的沉積設備；用於先進 DRAM中絕緣體沉積的設備；部分用先進節點鎢沉積的物理沉積設備；能夠用於先進節點集成電路生產的納米壓印光刻設備（套刻精度小於 1.5nm）；用於先進制程的高端單片清洗設備（如超臨界清洗）；控制用於改善EUV光刻整體圖形的沉積或刻蝕設備等。同時，7種商品從原 ECCN 3B001 移入新的 ECCN 3B993，不再需要許可要求或推定拒絕，原因是這些商品與制程節點無關，並已在非先進節點制造應用中得到廣泛使用。
▍風險因素：
全球宏觀經濟低迷風險，下遊需求不及預期，國際產業環境變化和貿易摩擦加劇風險，國產化推進不及預期，匯率大幅波動，美國制裁加劇，日荷等美國盟友收緊半導體政策等。
▍投資策略：
本次制裁內容與此前媒體報道內容差別不大，市場已有所預期，由於相關企業已有准備，已經提前進行了長期囤貨和去美供應鏈切換，我們認爲短期實際影響有限，對企業業務連續性不構成顯著影響，長期而言則需放棄幻想，自立自強，有望進一步加速全產業鏈國產化進程。
1）半導體零部件企業國產替代進一步加速。制裁走向上遊，建議關注零部件國產替代機會。
2）設備企業國產化趨勢明確，當前最應關注具備先進制程、平台化、細分國產化率低的公司。
3）先進封裝在AI芯片領域發揮作用增強，在2.5D/3D/HBM相關方向有持續技術迭代空間。建議關注國內布局先進封裝的廠商。
4）晶圓廠作爲半導體先進國產替代核心战略資產地位強化。
本文節選自中信證券研究部已於當日發布的《晨會》報告，分析師：徐濤 王子源S1010517080003 S1010521090002
標題：中信證券：美國對華半導體制裁更新，倒逼全產業鏈國產化加速
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