中信證券：美國對華先進存儲限制加碼，看好高端存...

12月2日晚間，BIS修訂了《出口管理條例》（EAR），對HBM和先進DRAM的限制加碼，包括新增限制HBM的技術參數、對高端制造設備進一步管制等。中信證券認爲，後續在本土高端封測廠商和設備廠商的配合下，國內DRAM存儲原廠有望突破HBM產品：HBM制造核心看封裝工藝升級，核心工藝包括TSV/Microbump、MR-MUF、CoWoS等，未來看Hybrid Bonding，中信證券認爲布局相關環節的廠商有望核心受益，看好高端存儲產業鏈國產替代。

▍美國對華先進存儲限制再次升級，主流HBM產品受到管制。

12月2日晚間，BIS修訂了《出口管理條例》（EAR），對HBM和先進DRAM的限制加碼，新增限制HBM的技術參數，主流HBM產品受管制。

1）新增HBM管制物項編碼：針對HBM增加了3A090.c管制物項編碼，存儲帶寬密度超過2GB/s/mm²即受到管制，BIS表示當前所有量產中的HBM均受限（中信證券測算HBM1的存儲帶寬密度已經超過2GB/s/mm²）；3A090.c主要針對獨立HBM，而對於HBM與邏輯芯片合封的產品，則主要聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度是否受限（根據3A090.a/3A090.b）；此外，對於美國或盟友企業在中國工廠封裝等情形，設置了許可例外條件，當滿足HBM內存帶寬密度小於3.3GB/s/mm²等一系列條件時（中信證券測算對應HBM2及以下），可申請許可證例外授權，對產品去向仍有嚴格管控。

2）修改先進DRAM定義：在限制半導體設備時，將先進DRAM的技術標准從“18 納米半間距或更小”修正爲當 DRAM集成電路的存儲單元面積小於0.0019μm² 或存儲密度大於 0.288Gbit/mm²時（根據TechInsights，存儲單元面積小於0.0019μm²主要對應1αnm制程DRAM及以上，三星8 Gb Non-EUVL D1z DDR4/美光科技16 Gb D1z DDR4/SK海力士16 Gb D1z DDR4 C-die的存儲密度分別爲0.299/0.247/0.296bit/mm²，因此先進DRAM定義修訂後主要限制1αnm制程及以上），該集成電路即符合 "先進節點集成電路 (Advanced-Node IC) "，從而限制立體堆疊3D DRAM等技術，達到這一水平的國內DRAM存儲廠採購含美技術設備需要許可證。

▍HBM制造設備端同樣受限，“商業管制清單CCL”新增8類高端設備管制。

BIS在管制清單中新增8種品類（ECCN 3B001），後續此類設備的採購均需要許可要求或推定拒絕，與高端存儲相關的主要包括：用於封裝含硅通孔（TSV）芯片（如 HBM 芯片）的刻蝕設備；用於在先進集成電路的金屬线之間沉積低介電材料的設備；用於先進存儲器集成電路中低電阻率金屬（鉬和釕）的沉積設備；用於先進 DRAM中絕緣體沉積的設備部分用先進節點鎢沉積的物理沉積設備。

▍國產算力芯片目前配置情況：多採用HBM2/2E，相較海外落後2代以上。

HBM是能夠滿足AI算力芯片高速傳輸需求的新型存儲，於2014年推出，配套算力需求持續爆發式增長，中信證券測算至2025年全球HBM容量需求將接近17億GB，佔DRAM出貨總容量超10%，佔DRAM市場產值超30%。國產訓練算力芯片多採用HBM2或HBM2E等存儲顆粒，而海外最新一代產品如NVIDIA新款AI芯片H200及B100、B200已配備HBM3E較爲先進的存儲顆粒。而部分AI推理卡如NVIDIA L系列在成本考量下仍搭載GDDR；此外，部分輕量級AI推理芯片或將搭配LPDDR使用，如三星計劃推出的AI推理芯片Mach-1。中信證券認爲，本次美國對華先進存儲限制將會影響國內廠商對海外原廠HBM2/2E的採購，中信證券預計後續一方面國內原廠有望推出國產HBM接替海外，另一方面也存在短期將AI算力芯片配套存儲從HBM降規至傳統DDR/GDDR類DRAM。

▍風險因素：

國產算力芯片研發進展不及預期；國產算力芯片產能不及預期；大模型迭代速度不及預期；國產半導體設備研發進展不及預期；國產存儲芯片客戶拓展不及預期；地緣政治風險等。

▍投資策略：

中信證券認爲後續在本土高端封測廠商和設備廠商的配合下，國內DRAM存儲原廠有望突破HBM產品，HBM制造核心看封裝工藝升級，核心工藝包括TSV/Microbump、MR-MUF、CoWoS等，未來看Hybrid Bonding，中信證券認爲布局相關環節的廠商有望核心受益：1）布局先進封裝的廠商；2）材料和設備環節相關廠商。

注：本文節選自中信證券研究部已於當日發布的《晨會》報告，分析師：徐濤S1010517080003；雷俊成S1010520050003；王子源S1010521090002；程子盈S1010523030002

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