經部科專計畫2奈米鍍膜設備首亮相 國產自製率達60%

（中央社記者劉千綾台北6日電）經濟部科專成果主題館今天開幕，經濟部表示，全球首創的複合式原子層鍍膜設備首度對外展示，專攻2奈米以下半導體鍍膜製程，有助效率和品質，並提升台灣國產自製率至60%以上，預期將可打入半導體製造龍頭廠商供應鏈。

2023台灣國際半導體展（Semicon Taiwan）今天登場，經濟部技術處科專成果主題館也在同日開幕，展示52項前瞻創新技術，包含小晶片設計及散熱技術等，總統府資政沈榮津、經濟部技術處處長邱求慧等人出席。

邱求慧表示，世界半導體貿易統計協會（World Semiconductor Trade Statistics）預估，全球半導體預估將於2030年破兆美元；台灣半導體產業位居於國際重要地位，2022年半導體的產值年成長超過18%，突破新台幣5兆元，位居全球第2。

為確保台灣半導體產業優勢，邱求慧表示，自2019至2023年已投入超過250億元，透過法人研發及補助業者，發展AI晶片及前瞻記憶體、化合物半導體製程材料設備等自主技術、以及推動法人建置先進製程及異質整合試量產線。

沈榮津表示，蔡總統上任後致力將台灣打造成「半導體先進製程中心」，工研院及半導體設備專業廠商旭宇騰精密科技共同合作研發出全球首創「2奈米製程鍍膜設備」，不但將打入半導體前段設備的供應鏈，也能協助台灣產業往「設備國產自製」的目標前進一大步。

經濟部說明，半導體生產過程複雜繁瑣，每個步驟製程需運用特殊設備，為解決步驟切換時常遇到傳輸耗時、汙染及品質下降等問題，經濟部以科技專案補助工研院研發全球首創2奈米製程鍍膜設備，將半導體前段鍍膜製程步驟整合為多合一系統。

這項設備可整合融入機台以提升鍍膜品質和生產速率，不僅將台灣國產自製率由30%提升至60%以上，更可縮少維修時程，從7天縮短至1天，未來將與旭宇騰精密科技合作生產。

AI應用帶動高速運算需求，超高功耗散熱瓶頸成為業界關注焦點，經濟部今天也發表「相變化水冷技術」，開發千瓦級高強度的散熱元件，可直接貼附在高效能運算晶片表面，藉由晶片內的水量蒸發與冷凝，達到快速傳熱與大量移除熱量效果，目前已與一詮精密合作生產，並成功打進美國AI晶片大廠供應鏈。（編輯：潘羿菁）1120906

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